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其他產(chǎn)品及廠家

浙江膏體電阻率測(cè)定裝置
本裝置適用于膏體材料、絕緣粉末、顆粒物及其他相關(guān)特性物料電阻測(cè)量輔助裝置。
更新時(shí)間:2025-05-24
電壓降測(cè)試儀使用說(shuō)明書
功能概述:電壓降綜合測(cè)試儀為瑞柯儀器公司開發(fā),是目前行業(yè)中功能和技術(shù)較先進(jìn)之品,與國(guó)際同行產(chǎn)品較一致性,采用ad芯片控制技術(shù)及先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)控制技術(shù),確保產(chǎn)品在測(cè)量過(guò)程中恒流、恒壓供給;有可調(diào)節(jié)之電流和電壓輸出兩種測(cè)試方式;
更新時(shí)間:2025-05-24
散粒顆粒密度測(cè)試儀功能
通過(guò)分析粉體動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)來(lái)描述流動(dòng)行為表征,粉體工業(yè)在加工、存儲(chǔ)、運(yùn)輸、料倉(cāng)中常出現(xiàn)拱架/鼠孔結(jié)構(gòu);如壓縮拱受料倉(cāng)壓力作用固結(jié)強(qiáng)度增加導(dǎo)致結(jié)拱。
更新時(shí)間:2025-05-24
新品粉末靜電測(cè)試儀
新品粉末靜電測(cè)試儀,絕緣材料存在的狀態(tài)有固態(tài)規(guī)則形狀如(長(zhǎng)方體,圓柱體等是固有形狀)及不規(guī)則狀態(tài)(如粉末狀,膏體狀,液態(tài)流動(dòng)狀),目前對(duì)絕緣體材料的測(cè)試方法和測(cè)量方式基本上是采用三環(huán)電極結(jié)構(gòu)測(cè)量規(guī)則形狀體,而不規(guī)則狀材料的測(cè)試較少,本機(jī)主要能滿足傳統(tǒng)的電阻測(cè)量外,還可以測(cè)試不規(guī)則狀態(tài)(如粉末狀,膏體狀,液態(tài)流動(dòng)狀)材料的電阻和電阻率,
更新時(shí)間:2025-05-24
方阻測(cè)試儀配置說(shuō)明
方阻測(cè)試儀配置說(shuō)明 ,符合《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、gb/t 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā?方阻測(cè)試儀
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題
mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 MIPI驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-24
硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
更新時(shí)間:2025-05-24
解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表,sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過(guò)的,使用這種方法,編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤,可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中,僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
更新時(shí)間:2025-05-24
分析與解決方法 MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試
分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí),eof中斷就產(chǎn)生了,eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用,該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
更新時(shí)間:2025-05-24
解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0,表示系統(tǒng)是小端,不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容,p0是個(gè)data,依次,p3是個(gè)data.
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題
mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660,輸出設(shè)定為yuv模式,因此,csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù),因此還需要通過(guò)軟件,將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試 MIPI屏 初始化指令問(wèn)題
mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問(wèn)題像素可以放映到你的抓圖上面的大小,該像素就是說(shuō)明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少,可以想象在相同的面積上,數(shù)量越多,感光元件肯定要越小,感光元件小,那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差,這個(gè)當(dāng)然可以理解,但是從大的方面來(lái)說(shuō),只要鏡頭好,光源充足,那么效果也會(huì)變好,這樣畫面就比像素低的更加的細(xì)膩,所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-05-24
MIPI眼圖 數(shù)據(jù) CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-05-24
慢走絲過(guò)濾器,慢走絲離子交換樹脂
本公司長(zhǎng)期有:三菱線切割原廠配件,沙迪克線切機(jī)原廠配件,西部線切割機(jī)原廠配件,日立線切割機(jī)原廠配件,慶鴻線切割機(jī)原廠配件,亞特/茗亞線切割機(jī)原廠配件,富士通線切割機(jī)原廠配件,夏米爾線切割機(jī)原廠配件,臺(tái)灣三貴火花機(jī)用配件等。多種線切割與打孔機(jī)配件,耗材批發(fā)出售。
更新時(shí)間:2025-05-24
磨床永磁吸盤廠家直銷保修一年
各規(guī)格型號(hào)磁盤:電磁吸盤,加工中心強(qiáng)力吸盤,磨床永磁吸盤,雕刻機(jī)細(xì)目永磁 吸盤,火花機(jī)磁盤,線切割磁盤,磨刀機(jī)專業(yè)磁盤,一體正弦臺(tái),彎弓正弦臺(tái),雙傾正弦臺(tái),旋轉(zhuǎn)磁臺(tái),直角磁臺(tái),圓形吸盤,紅銅.黃銅永磁吸盤,雙面永磁吸盤,導(dǎo)磁塊等……機(jī)床精密配件.定做非標(biāo)吸盤
更新時(shí)間:2025-05-24
ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-24
Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-24
日本NIKON高度計(jì)
日本 nikon高度計(jì):加高型精密高度計(jì),量程小于等于100mm的產(chǎn)品高度、厚度與深度測(cè)量。日本nikon高度計(jì):流水生產(chǎn)線可以每線一臺(tái),高精度高效測(cè)量,是高精度產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)最佳選擇。日本nikon高度計(jì):選配特殊測(cè)針,可完成小深孔,盲孔測(cè)量,這是三坐標(biāo),影像儀,投影儀與顯微鏡無(wú)法代替的特點(diǎn),特制測(cè)頭還可測(cè)
更新時(shí)間:2025-05-24
德國(guó)Minro米諾高度計(jì)特價(jià)批發(fā)
米諾高度計(jì)非常順滑的柱塞運(yùn)動(dòng)。米諾高度計(jì)周期可靠性優(yōu)于2,000,000hz,保證高速位移時(shí)不丟失數(shù)據(jù)。米諾高度計(jì)靈活選擇的探針。米諾高度計(jì)0-50mm或0-100mm的測(cè)量范圍可選。
更新時(shí)間:2025-05-24
寧波CNC高速電火花細(xì)孔穿孔機(jī)
余姚高速電火花穿孔機(jī)采用電極管(黃銅管,紫銅管)作為工具電極利用電火花放電蝕除原理,在電極與工作之間施加高頻脈沖電源形成小脈寬,電流的放電加工,輔以高壓水冷卻排渣,使工件的蝕除速度加快,特別適用于不銹鋼,淬火鋼,銅,鋁,硬質(zhì)合金等各種導(dǎo)電材料上加工直徑0.15-2.0之間的深小孔,深度100mm,可直接在工件的斜面,曲加工,用于電火花線切割加工的穿絲孔,化纖噴絲頭,噴絲板的噴絲孔,濾板,篩板的群孔
更新時(shí)間:2025-05-24
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常,memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-05-24
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-05-24
出租Tektronix USB2.0測(cè)試夾具
出租tektronix usb2.0測(cè)試夾具
更新時(shí)間:2025-05-24
梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開,屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-24
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-24
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-24
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-24
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-24
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-24
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-24
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-24
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-24
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試  EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-24
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-05-24
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-24

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