化學(xué)氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家
德國iplas微波等離子化學(xué)氣相沉積 cyrannus 1-6" 2.45ghz系統(tǒng)，德國 iplas公司的獨(dú) 家 利多天線耦合微波等離子技術(shù)（cyrannus®），可在反應(yīng)腔中實(shí)現(xiàn)高的 sp3 鍵轉(zhuǎn)化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團(tuán)，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質(zhì)量得到改善。
更新時(shí)間:2025-08-22
德國iplas微波等離子化學(xué)氣相沉積 iplas mpcvd 915mhz系統(tǒng),德國 iplas公司的獨(dú)家利多天線耦合微波等離子技術(shù)（cyrannus®），可在反應(yīng)腔中實(shí)現(xiàn)高的 sp3 鍵轉(zhuǎn)化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團(tuán)，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質(zhì)量得到改善，這正是獲取優(yōu)質(zhì)金剛石的技術(shù)基礎(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-08-22
德國netzsch 差示掃描量熱儀dsc 3500 sirius，該技術(shù)操作簡便，分析快速，在研發(fā)、制造和質(zhì)量檢驗(yàn)域中逐漸成為不可取代的檢測技術(shù)。針對具體材料、產(chǎn)品的應(yīng)用和性能評估及解析，對應(yīng)有各種各樣的標(biāo)準(zhǔn)（如astm，din，iso等）。
更新時(shí)間:2025-08-22
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術(shù)微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于第四代半導(dǎo)體，射頻器件，散熱器件，光學(xué)窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽(yù)為半導(dǎo)體終材料。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) compact sputter，- 靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸- 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個(gè)6英寸磁控濺射源（可選配3或4個(gè)）- 支持射頻、直流或脈沖直流電源- 最 多可支持3條氣體管路- 支持順序沉積和共沉積- 可選配負(fù)載鎖定腔室
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) compact thermal 靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸- 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個(gè)）- 速率控制沉積- 可沉積多層薄膜，選用特定目標(biāo)材料- 可選配負(fù)載鎖定腔室
更新時(shí)間:2025-08-22
高真空濺射系統(tǒng) hv sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)12英寸或200×200毫米- 基板架加熱溫度最高可達(dá)800℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個(gè)6英寸磁控濺射源（可選配3或4個(gè)）- 支持射頻、直流或脈沖直流，適用于非導(dǎo)電或?qū)щ姲胁? 可選配射頻清洗和刻蝕功能- 可沉積多層薄膜，選用特定目標(biāo)材料- 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時(shí)間:2025-08-22
超高真空磁控濺射鍍膜機(jī) uhv sputter,? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 磁控濺射源（數(shù)量最多 8 個(gè)），可選強(qiáng)磁版本? 用于非導(dǎo)電或?qū)щ娔繕?biāo)的射頻、直流或脈沖直流? 使用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他特高壓沉積系統(tǒng)集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)hv thermal，全自動(dòng)系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求，包括oled、opv、opd等。? 基板支架水冷或油冷? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 12 個(gè)）? 可以共蒸發(fā)和摻雜? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜- 可與手套箱集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)uhv thermal, ? 靈活的基板尺寸可達(dá) 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 6 個(gè)）? 可以共蒸發(fā)和摻雜。? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) hv e-beam,靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱至 800 °c 或水/油/ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個(gè)口袋電子束源（每個(gè)口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積技術(shù)或沉積系統(tǒng)集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey lift-off e-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個(gè)口袋電子束源（每個(gè)口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 負(fù)載鎖定是可選的，效率高? 可與其他沉積系統(tǒng)集成? 樣品傾斜是可選的
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 超高真空電子束鍍膜 uhv e-beam, ? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻和傾斜? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個(gè)口袋電子束光源（每個(gè)口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 2.pngtorr 是可選的鋁基約瑟夫森結(jié)? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) pvd cluster,靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱或冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? torr 可選擇用于不同的設(shè)備- 可與手套箱集成
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 小型多腔體鍍膜機(jī) mini cluster, 靈活的基板尺寸可達(dá) 2 英寸。? 基板支架加熱或冷卻。? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％。? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的靶材沉積多層薄膜。? torr 可針對不同設(shè)備進(jìn)行選擇。- 可與手套箱集成。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 等離子增強(qiáng)原子沉積 peald,我們生產(chǎn)用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ald 和 peald 系統(tǒng)。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應(yīng)窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實(shí)驗(yàn)室空間。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 pecvd? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱至 400 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性，低于 ±5％? 6 條反應(yīng)性氣體管路，適用于 sio2、si3n4 沉積? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 負(fù)載鎖定是可選的? 等離子自清潔是可選的? teos 工藝是可選的
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey rie 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，我們生產(chǎn)用于氧化物和氮化物蝕刻的 rie 系統(tǒng)。氣體管線可實(shí)現(xiàn)硅基材料刻蝕。全自動(dòng)作，支持一鍵工序。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機(jī) icp-rie,用于氧化物和氮化物蝕刻的 icp-rie 系統(tǒng)。氣體管線可實(shí)現(xiàn)金屬蝕刻。全自動(dòng)作，支持一鍵工序。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey 離子束刻蝕機(jī) ibe, 離子束蝕刻（ibe）是一種先 進(jìn)的蝕刻技術(shù)，利用離子源去除來自基材表面的材料具有卓 越的均勻性和精度。國際教育局可以適用于金屬、氧化物、半導(dǎo)體、有機(jī)物等多種材料化合物。這種蝕刻方法涉及使用帶電粒子的高能束，通常是氬離子，用于物理去除樣品表面的材料。
更新時(shí)間:2025-08-22
syskey cvd cluster 化學(xué)氣相沉積，pecvd和peald系統(tǒng)可以組合在一起，實(shí)現(xiàn)薄膜的多層沉積封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品在兩者之間轉(zhuǎn)移自動(dòng)處理腔室。
更新時(shí)間:2025-08-22
pe-cvd結(jié)構(gòu)特點(diǎn)介紹：pecvd系列真空管式高溫?zé)Y(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體；2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進(jìn)口高溫合金電阻絲為加熱元件；3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性；支持定制15611171559.
更新時(shí)間:2025-08-18
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上高的晶圓產(chǎn)量 / m2市場上晶圓出色的運(yùn)行過程性能高度均勻、低缺陷的 sic 外延工藝，可實(shí)現(xiàn)大的芯片良率
更新時(shí)間:2025-08-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)用于研發(fā)的封閉耦合淋浴噴頭® ccs系統(tǒng)“用于研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)的靈活mocvd系統(tǒng)”
更新時(shí)間:2025-08-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)“行星式反應(yīng)器模塊，用于在150/200毫米襯底（si/藍(lán)寶石/sic）上應(yīng)用氮化鎵，可提高生產(chǎn)率和晶圓性能”
更新時(shí)間:2025-08-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)aix g5 ww c“下一代碳化硅電力電子器件的佳性能，以應(yīng)對全球大趨勢”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
更新時(shí)間:2025-08-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光電子學(xué)和射頻應(yīng)用的 hvm 佳反應(yīng)器”
更新時(shí)間:2025-08-13
mocvd系統(tǒng)主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機(jī)源）輸運(yùn)控制系統(tǒng)、有機(jī)源蒸發(fā)輸運(yùn)控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)組成。
更新時(shí)間:2025-08-13
產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：pecvd就是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要
更新時(shí)間:2025-08-13
系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積p、i、n結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電、基片加熱臺、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
更新時(shí)間:2025-08-13
系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。本系統(tǒng)具有pecvd功能和熱絲cvd功能。
更新時(shí)間:2025-08-13
適用于光電應(yīng)用的 lumina as/p 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積 (mocvd) 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-08-13
用于 5g、光子學(xué)和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系統(tǒng)全自動(dòng)單晶圓簇系統(tǒng)可在 300 毫米基板上生產(chǎn) 5g 射頻、光子學(xué)和高 cmos 器件。
更新時(shí)間:2025-08-13
horic l200 系列 臥式 lpcvd 系統(tǒng)半導(dǎo)體客戶端機(jī)臺裝機(jī)量大
更新時(shí)間:2025-08-13
epee系列 等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)單片和多片式架構(gòu)，滿足量產(chǎn)和研發(fā)客戶需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是大規(guī)模生產(chǎn)用薄膜沉積的理想選擇，具有優(yōu)異的重復(fù)性。
更新時(shí)間:2025-08-13
al-1通過交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜？赏瑫r(shí)沉積3片ø4英寸的晶片。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-220nl 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-3800l是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過載盤裝載多片晶圓進(jìn)行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-220n是用于沉積各種硅薄膜（sio2、si3n4等）的等離子體cvd系統(tǒng)。 pd-220n在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時(shí)，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從尖端研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應(yīng)用范圍很廣。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型cvd系統(tǒng)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。pd-200stl具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個(gè)ø4英寸的晶圓。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-330stc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-08-13
pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。pd-100st具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-08-13
本裝置是為了在汽車用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實(shí)施sio2 top coating的設(shè)備,是縮短生產(chǎn)時(shí)間,工序和佳的matching設(shè)備.
更新時(shí)間:2025-08-13
sentech sipar icp沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)的各種沉積模式和工藝開發(fā)和設(shè)計(jì)的。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電和一個(gè)受控的真空系統(tǒng)。該系統(tǒng)將等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （pecvd） 和原子層沉積 （ald） 結(jié)合在一個(gè)反應(yīng)器中。
更新時(shí)間:2025-08-13
sentech depolab 200 是基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （pecvd） 系統(tǒng)，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和靈活的直接加載設(shè)計(jì)。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開始。
更新時(shí)間:2025-08-13
shale® c系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（icp-cvd），通過電感耦合（icp）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（ccp）產(chǎn)生偏壓，可實(shí)現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合semi的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗(yàn)證。
更新時(shí)間:2025-08-13
shale® a系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（pecvd），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合semi的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗(yàn)證。
更新時(shí)間:2025-08-13
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