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UV平場(chǎng)復(fù)消色差物鏡(266-500nm 10x)

uv平場(chǎng)復(fù)消色差物鏡(266-500nm 10x)該物鏡采用了設(shè)計(jì)的m plan uv鏡頭，提高了分辨率。這個(gè)物鏡刻有類(lèi)別、放大率、數(shù)值孔徑、數(shù)字（說(shuō)明用于無(wú)蓋玻片的樣品成像）和指出放大倍數(shù)的有效套筒透鏡焦距。

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線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(900-1700nm)

線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(900-1700nm)這款相機(jī)專(zhuān)為工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室使用而設(shè)計(jì)，并采用線(xiàn)掃描模式工作，可用于收集近紅外 nir 區(qū)域（900 至 1700 nm）的高光譜數(shù)據(jù)。

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線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(2700-5300nm)

線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(2700-5300nm)這是專(zhuān)為工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的高速、、穩(wěn)定的高光譜相機(jī)。它采用線(xiàn)掃描模式工作，可用于收集中波紅外 (mwir) 區(qū)域 (2.7-5.3 μm) 的高光譜數(shù)據(jù)。

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緊湊型高性能CCD光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)

緊湊型高性能ccd光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)這是一款線(xiàn)陣 ccd 陣列光譜儀，采用低雜散光光學(xué)平臺(tái)，專(zhuān)為紫外（uv）與近紅外（nir）性能優(yōu)化設(shè)計(jì)。該設(shè)備具備 2048 元探測(cè)器、內(nèi)置 16 位數(shù)字化儀、usb 2.0 接口（讀取速度＞2.0 mhz）及外部觸發(fā)功能。

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線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(400-1000nm)

線(xiàn)掃描式高光譜相機(jī)(400-1000nm)高光譜相機(jī)專(zhuān)為工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室使用而設(shè)計(jì)。高光譜相機(jī)采用線(xiàn)掃描模式工作，可用于收集可見(jiàn)光和近紅外 (vnir) 區(qū)域 (400-1000 nm) 的光譜數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)色彩優(yōu)化的高光譜相機(jī)可用于收集 400-780 nm 范圍內(nèi)的光譜數(shù)據(jù)。

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便攜式高光譜相機(jī)(400-1000nm)

便攜式高光譜相機(jī)(400-1000nm)我們廣泛的相機(jī)產(chǎn)品組合涵蓋多個(gè)不同波段范圍，可用于工業(yè)、科研和政府單位等。無(wú)論是實(shí)驗(yàn)室、工業(yè)設(shè)施還是現(xiàn)場(chǎng)，我們都能滿(mǎn)足您的需求。

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MCT-UHSM-I-10.6-1×13.0-12.0um 超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊

產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對(duì)紅外檢測(cè)模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒(méi)式光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應(yīng)。

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MCT-PVI-4TE-3-1×12-12um MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列

pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的z佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。

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NIPM-I-52.9–5.5μm 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動(dòng)平衡紅外檢測(cè)模塊 1.8 MHz

產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專(zhuān)為差分光信號(hào)檢測(cè)而設(shè)計(jì)的紅外檢測(cè)模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動(dòng)平衡模式下運(yùn)行。該檢測(cè)模塊使用兩個(gè)基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨(dú)立檢測(cè)器。這些 ir 檢測(cè)器（信號(hào)和參考）精確匹配，以實(shí)現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專(zhuān)用于在激光的過(guò)量噪聲超過(guò)檢測(cè)器的基本噪聲的系統(tǒng)中運(yùn)行。

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LabM-I-52.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實(shí)驗(yàn)室紅外檢測(cè)模塊(帶光浸式光伏探測(cè)器)

產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測(cè)模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒(méi)光伏紅外探測(cè)器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運(yùn)行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨(dú)出售）和smart manager軟件（免費(fèi)軟件）。

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MCT-UM-I-6-1×1碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測(cè)模塊 3.0–6.7μm DC–1 MHz

產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒(méi)光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶(hù)防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測(cè)模塊是非常方便和用戶(hù)友好的設(shè)備，因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。

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1-12um 中紅外非冷卻光浸沒(méi)式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列

pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受gaas透過(guò)率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。

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Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器

190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，性能，性?xún)r(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見(jiàn)光測(cè)量。

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InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸

800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器，感光范圍覆蓋800nm~1700nm，常用于近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，應(yīng)用廣泛

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PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器

320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15

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320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器

320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15

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太赫茲相機(jī)(0.05-0.7THz 64x64)|材料檢測(cè)

太赫茲相機(jī)(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測(cè)我們開(kāi)發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導(dǎo)體探測(cè)器陣列的技術(shù)。該探測(cè)器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素?cái)?shù)量具備可擴(kuò)展性。公司正于為科研與工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。

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太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯)

太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學(xué)系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時(shí)約為 1.96，折射率為 1.4。

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MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列

2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測(cè)器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。

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IRPD5521Y-1.25-P-T-PG InGaAs光電二管模塊光譜響應(yīng)800-1600nm

光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳

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800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器

800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無(wú)縫兼容；性能，高性?xún)r(jià)比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

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IGA-APD-GM104-R-TEC InGaAs蓋革模式雪崩光電二管光譜響應(yīng)0.9-1.7μm

光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm；響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce

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C30902EH 硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18

感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口峰值靈敏度波長(zhǎng)：830 nm 響應(yīng)時(shí)間：響應(yīng)度：在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時(shí)間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長(zhǎng)：400-1100nm

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APD-SI-905-0.5-LCC3 硅Si雪崩光電二管 905nm 400-1100nm 光敏面直徑0.5mm

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長(zhǎng)：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3

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320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器

320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無(wú)縫兼容；性能，高性?xún)r(jià)比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

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光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5

光譜范圍350-100nm,響應(yīng)度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5

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InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸

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UPD-30-VSG-PAlphalas UPD超快光電探測(cè)器320-900nm

上升時(shí)間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應(yīng)范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大?。?00×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：sma

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PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90InAsSb 紅外光伏探測(cè)器非冷卻非浸沒(méi) 2.3um TO39

產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標(biāo)要求

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GE-10X10-TO9 Ge鍺超大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑10mm

光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w；光敏材料 ge；2pin腳

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GE-5X5-TO8 Ge鍺大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑5mm

光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳

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UPD-5N-IR2-PAlphalas UPD超快光電探測(cè)器（800-2600nm ，上升沿時(shí)間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）

上升時(shí)間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應(yīng)范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大小：300/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：bnc

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UPD-300-SPAlphalas UPD超快光電探測(cè)器（320-1100nm ＜300ps上升沿時(shí)間 Si >1GHz 拋光玻璃)

alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測(cè)量。可提供檢測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過(guò)氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。

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ET-2070硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz 美國(guó)EOT

產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國(guó)的eot(electro-optics technology)公司全線(xiàn)產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測(cè)器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

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350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器

350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無(wú)縫兼容；性能，高性?xún)r(jià)比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

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WL-IPD4B 數(shù)字集成光電二管 1kHz 高精度低漂移

電源電壓(vs) 提供的usb:5v ,電源電流正常工作(1khz) :90ma

更新時(shí)間:2025-12-15

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MIR QWIP5um 超快中紅外探測(cè)器中紅外量子阱紅外探測(cè)器 QWIP

mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測(cè)器。它的響應(yīng)速度高達(dá)數(shù)十ghz，是市場(chǎng)上最快的檢測(cè)器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開(kāi)發(fā)中紅外高帶寬光學(xué)通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的。我們對(duì)包裝和設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，以適應(yīng)低溫下的超高速運(yùn)行。

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M-NANO-MINI-Custom 微型納Nd:YAG毫焦激光頭輸出功率1W 中心波長(zhǎng)1064nm

平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時(shí)間(fwhm) 3...8 ns 波長(zhǎng)(中心) 1064nm

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MCF-7-2-150-250 7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm

纖芯數(shù)量:7芯纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯）數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05

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FCA-A0-S65-Q-1-9-SA 基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接

光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器

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HC-1500-100-30 可見(jiàn)光近紅外中空光纖內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W

鍍銀涂層中空光纖包層材料：塑料內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w

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MPYH-375×375/660-960-22-AC 單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖芯徑375um 包層直徑660±5um

數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米

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SI220-200/220-SC單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層纖芯直徑200um 包層直徑220um)

筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴(yán)格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿(mǎn)足各類(lèi)客戶(hù)對(duì)激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15

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1206R80X200LV二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)

optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅非圓芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢(shì)。

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UHNA1UHNA超高數(shù)值孔徑單模光纖 NA0.28

coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導(dǎo)和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導(dǎo)）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時(shí)纖芯熱擴(kuò)束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。

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Optran® UV WFS 200-2000nm 寬帶二氧化硅光纖數(shù)值孔徑NA=0.12±0.02

波長(zhǎng) optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標(biāo)準(zhǔn) 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02

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Optran? UV NSSOptran? UV NSS 碳層密封光纖 ,高抗日曬短波紫外 190–1200nm

optran? uv nss是為短波紫外線(xiàn)光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應(yīng)用前景。

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鍍鋁階躍折射率多模光纖

鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專(zhuān)為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環(huán)境設(shè)計(jì)的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應(yīng)用場(chǎng)景。鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍，從低溫環(huán)境到 + 400°c 均可適用，且具備氫密封性，能在富氫環(huán)境中減輕氫致暗化現(xiàn)象。

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ZDF-10/125-30H2.5P-O稀土Ho鈥/Pr鐠摻雜 ZBLAN雙包層氟化物裸光纖

稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復(fù)合玻璃光纖。與廣泛應(yīng)用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長(zhǎng)范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點(diǎn)。

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780-HP780-HP 單模光纖 780-970nm 4.4/125um

產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長(zhǎng)單模光纖是針對(duì)近紅外光進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的特種單模光纖，用來(lái)滿(mǎn)足光纖耦合器制作，半導(dǎo)體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15

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