探針臺(tái)產(chǎn)品及廠家
氣氛型高溫探針臺(tái)半導(dǎo)體材料測(cè)量快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試，測(cè)試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時(shí)間:2025-06-21
半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-06-21
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái) 錦正茂高低溫真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2k~500k）。
更新時(shí)間:2025-06-21
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2025-06-21
氣氛型高溫探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺(tái)可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-06-21
三維磁場(chǎng)探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2025-06-21
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測(cè)量?jī)x器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2025-06-21
實(shí)驗(yàn)測(cè)量設(shè)備磁場(chǎng)探針臺(tái)芯片測(cè)試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-06-21
探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2025-06-21
磁場(chǎng)探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場(chǎng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2025-06-21
該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2025-06-21
氣氛型高溫探針臺(tái)真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測(cè)試控溫精度：±0.1k；真空度：10e-3pa；
更新時(shí)間:2025-06-21
定制探針臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-06-21
高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)鍍金無氧銅樣品臺(tái)可升加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-06-21
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。磁場(chǎng)均勻性：中心區(qū)域60mm球體內(nèi)為1%。
更新時(shí)間:2025-06-21
主要技術(shù)指標(biāo)：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）
更新時(shí)間:2025-06-21
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時(shí)間:2025-06-21
高低溫探針臺(tái)t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80k-420k高低溫測(cè)試環(huán)境，
更新時(shí)間:2025-06-21
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-06-21
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
更新時(shí)間:2025-06-21
變溫真空微探針臺(tái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于半導(dǎo)體材料如砷化鎵（gaas）、非晶硅碲鎘汞等需要低溫（70k）或高溫（730k）下的測(cè)試需要。變溫微探針系統(tǒng)可提供精確的溫度控制和無振動(dòng)無噪音的工作環(huán)境。該微探針系統(tǒng)具有1到7根獨(dú)立控制的探針，每根探針帶有可三軸移動(dòng)線纜，可直線移動(dòng)，可精確定位，定位精度優(yōu)于50微米，該平臺(tái)可執(zhí)行寬范圍的測(cè)試和實(shí)驗(yàn)，包括：材料的電子表針和深層次瞬態(tài)光譜的測(cè)試。mmr擁有專利的joule-thomson溫度臺(tái)提供了低溫制冷和高溫加熱的環(huán)境，提供了自動(dòng)化的高精度的寬范圍溫度控制。該變溫微探針系統(tǒng)有很多可選配件，包括從上至下的光學(xué)顯微鏡系統(tǒng)、分子泵、觀察窗、光纖光學(xué)探針操作器、隔振臺(tái)等。這套系統(tǒng)，可滿足實(shí)驗(yàn)室提供多種測(cè)試需要和機(jī)會(huì)。
更新時(shí)間:2025-06-21
coda system有彈簧加載的組件，用于板對(duì)板互連以及各種數(shù)據(jù)，電源和電池充電應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-06-20
coda system有彈簧加載的組件，用于板對(duì)板互連以及各種數(shù)據(jù)，電源和電池充電應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-06-20
mpi vega 探針系列已準(zhǔn)備好滿足激光二管（vcsel、eel）和光學(xué)模塊市場(chǎng)的各種測(cè)試和材料處理要求。
更新時(shí)間:2025-06-13
mpi avior 系列為光通信市場(chǎng)提供了廣泛的高性能探針系統(tǒng)陣容。我們的探針系統(tǒng)提供頂部發(fā)射 （tp）、倒裝芯片 （fp） 發(fā)射和裸片/封裝 （dp） 配置，以滿足您的特定測(cè)試要求。無論是研發(fā)還是大規(guī)模生產(chǎn)，mpi的解決方案都能滿足您對(duì)準(zhǔn)確可靠測(cè)量的需求，同時(shí)降低測(cè)試成本。
更新時(shí)間:2025-06-13
micro led（μled）是顯示行業(yè)的顛覆性光學(xué)技術(shù)突破。micro led顯示器為消費(fèi)/顯示器/汽車應(yīng)用提供了巨大的潛力，因?yàn)榕c其他發(fā)射設(shè)備相比，它們更亮、更快、使用壽命更長(zhǎng)。憑借在光電器件測(cè)試方面積累的多年經(jīng)驗(yàn)和客戶互動(dòng)，mpi 推出了 gemini 系列晶圓探針臺(tái)，可提供快速、高效和精確的測(cè)量，幫助您應(yīng)對(duì) micro led 測(cè)試和測(cè)量挑戰(zhàn)。
更新時(shí)間:2025-06-13
capella系列探針臺(tái)支持從晶圓到封裝芯片的所有l(wèi)ed產(chǎn)品類型（垂直芯片、橫向芯片、倒裝芯片）的電氣和光學(xué)表征。無論您是需要高性能、高性價(jià)比還是業(yè)探針系統(tǒng)，mpi pa 都能提供全面的 led 晶圓/芯片探針機(jī)系列，以滿足您的嚴(yán)格要求。
更新時(shí)間:2025-06-13
formfactor為其一流的150 mm探針臺(tái)引入了新的模塊化概念。這將使您更容易以令人難以置信的價(jià)格配置個(gè)性化探頭解決方案，以滿足當(dāng)和未來的需求。只需選擇一個(gè)基站，并根據(jù)需要添加任意數(shù)量的特定應(yīng)用入門套件。這款手動(dòng)探針臺(tái)是一款為初學(xué)者和小型實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)的入門設(shè)備。它可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件進(jìn)行電流-電壓(iv)和電容-電壓(cv)特性的測(cè)試與分析。
更新時(shí)間:2025-06-13
入門手動(dòng)探針臺(tái)，用于表面耦合和水平邊緣耦合formfactor推出了一種具有成本效益的硅光子學(xué)測(cè)量解決方案，以支持新興應(yīng)用的基礎(chǔ)研究工作。該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是formfactor多年開發(fā)自動(dòng)光子測(cè)量系統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn) - 現(xiàn)在根據(jù)大學(xué)和其他入門用戶的需求量身定制。mps150-siph 可確保光纖可以精確對(duì)準(zhǔn)，從而在不發(fā)生物理接觸的情況下將光耦合進(jìn)出設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-06-13
summit200探針臺(tái)為研發(fā)、設(shè)備表征/建；蚶a(chǎn)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可在超低噪聲、直流、射頻、毫米波和太赫茲應(yīng)用中進(jìn)行溫度范圍內(nèi)的精確電氣測(cè)量，具有半自動(dòng)和現(xiàn)在的全自動(dòng)操作，可盡快獲得準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-06-13
cm300xi 探針臺(tái)可應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的環(huán)境帶來的測(cè)量挑戰(zhàn)，例如在長(zhǎng)時(shí)間和多種溫度下在小焊盤上進(jìn)行無人值守的測(cè)試。在 emi 屏蔽、光密和無濕氣的測(cè)試環(huán)境中，為各種應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了一流的測(cè)量性能。熱管理增強(qiáng)功能和實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化功能可提高產(chǎn)量并縮短數(shù)據(jù)獲取時(shí)間。對(duì)于低溫測(cè)試，formfactor的開放式iceshield™環(huán)境也可用于cm300xi。
更新時(shí)間:2025-06-13
ts2000-dp是mpi提供一套多功能且經(jīng)濟(jì)高效的8寸半自動(dòng)高功率測(cè)試探針臺(tái)，可在20°c至300°c的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行晶圓載片上高功率應(yīng)用的測(cè)量，且測(cè)量能力高達(dá)3kv（三軸）/10kv（同軸）和600a（脈沖）。
更新時(shí)間:2025-06-13
mpi ts300-shieldenvironment™（ts300-se）12英寸探針臺(tái)旨在對(duì)300mm晶圓及以下微小器件提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測(cè)量功能環(huán)境。 它以佳高度與防震臺(tái)結(jié)合在一起，使日常操作非常方便
更新時(shí)間:2025-06-13
mpi ts200-shieldenvironment™（ts200-se）8英寸探針臺(tái)可提供高emi / rfi /不透光屏蔽，超低噪聲，低泄漏測(cè)量功能。
更新時(shí)間:2025-06-13
ts3500和ts3500-se 在功能上與mpi的已建立的 ts3000 和 ts3000-se 300毫米探針臺(tái)具有相同的功能，并通過配置或升mpi獨(dú)特的waferwallet™而具有完全自動(dòng)化的功能。mpi的解決方案通過提供比其他供應(yīng)商的半自動(dòng)化產(chǎn)品更少的完全自動(dòng)化功能，降低了客戶的總體測(cè)試成本。
更新時(shí)間:2025-06-13
mpi為其的ts2000-se，ts3000，ts3000-se，ts3500和ts3500-se探針系統(tǒng)設(shè)計(jì)了用的siph升，
更新時(shí)間:2025-06-13
mpi的ts3000是半自動(dòng)300mm探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)，搭配獨(dú)特的可開放式下做高低溫測(cè)試，門為產(chǎn)品工程，故障分析，設(shè)計(jì)驗(yàn)證，晶圓可靠性以及rf和mmw應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-06-13
半自動(dòng)真空低溫探針臺(tái)使晶圓和器件在低溫下9k(singleccr系統(tǒng))、4.5k(dualccr系統(tǒng))甚至低于4k(triple ccr系統(tǒng))的情況下能夠快速、經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行測(cè)試。低溫探針臺(tái)，設(shè)計(jì)用于支持在真空或氣體環(huán)境中對(duì)高達(dá)100mm、150mm或高達(dá)300mm的晶圓進(jìn)行自動(dòng)動(dòng)或半自動(dòng)測(cè)試。 系統(tǒng)精度高、成本低、噪音低、使用方便。系統(tǒng)建立在一個(gè)振動(dòng)補(bǔ)償?shù)亩喙δ芷脚_(tái)上，能夠配置來各種測(cè)試應(yīng)用程序。
更新時(shí)間:2025-06-13
納米探測(cè)面臨的挑戰(zhàn)· 定位精度· 安全（軟）著陸接觸· 具有適當(dāng)尖端半徑的可靠探針頭· 清潔環(huán)境：試驗(yàn)箱、樣品、探針頭· 振動(dòng)敏感性低· 噪聲抑制· 漂移補(bǔ)償· 電路編輯/延遲：在fib角度操作
更新時(shí)間:2025-06-13
janis st-500系列探針臺(tái)是高性能的研究?jī)x器，旨在為晶片和設(shè)備提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的真空和低溫探測(cè)環(huán)境。久經(jīng)考驗(yàn)的st-500低溫恒溫器是這些探針臺(tái)的基礎(chǔ)部分，包括低振動(dòng)技術(shù)（初設(shè)計(jì)用于高空間分辨率光學(xué)顯微鏡），以提供出色的樣品位置穩(wěn)定性。 各地的研究人員正在使用這些系統(tǒng)來進(jìn)行廣泛域的研究，包括mems、納米電子學(xué)、超導(dǎo)性、鐵電學(xué)、材料科學(xué)和光學(xué)。
更新時(shí)間:2025-06-13
janis ccr閉循環(huán)系列探針臺(tái)為研究人員提供了真空和低溫測(cè)試功能，而無需使用液氦，液氮制冷。4 k、10 k和80 k低溫恒溫器使用成熟的gm制冷機(jī)冷卻樣品，性能可靠且價(jià)格合理。典型應(yīng)用包括mems、納米電子、超導(dǎo)、鐵電、材料科學(xué)和光學(xué)。
更新時(shí)間:2025-06-13
yida16p 磁性開關(guān) yida-09p.yida-09p-qd，yida-11r，yida-11r-qd，yida-11n，yida-11n-qd，yida-11p，yida-11p-qd，yida-12r，yida-12r-qd，yida-12n，yida-12n-qd
更新時(shí)間:2025-06-13
赫爾納供應(yīng)美國(guó)biosearch探針bhqbiosearch探針bhq™探針是傳統(tǒng)的，線性的，雙標(biāo)記的fret探針，通常長(zhǎng)度為20至30個(gè)基部，分別為5´和3´末端，分別將熒光團(tuán)和淬滅劑共同連接。
更新時(shí)間:2025-06-13
jandel為我們所熟知的四點(diǎn)電阻率測(cè)量機(jī)制造電阻率探頭。我們還制造用于半導(dǎo)體行業(yè)以及大學(xué)，實(shí)驗(yàn)室工作和研究應(yīng)用的電阻率測(cè)量設(shè)備。jandel engineering是一家私人有限公司，成立于1967年。我們的款產(chǎn)品是電解濕度計(jì)電池，它帶有一個(gè)用0.05mm直徑鉑絲（用于測(cè)量氣體中的水分）的螺旋切割石英成型雙線繞線管。
更新時(shí)間:2025-06-13
的英國(guó)jandel探針-德國(guó)赫爾納赫爾納貿(mào)易(大連)有限公司，2013年創(chuàng)建，德國(guó)公司，專.業(yè).德國(guó)代.購(gòu)，價(jià)格優(yōu)惠。
更新時(shí)間:2025-06-13
赫爾納-供應(yīng)德國(guó)diatest測(cè)針德國(guó)總部直接采購(gòu)diatest測(cè)針，原裝產(chǎn)品，貨期好，支持選型，為您提供一對(duì)一好的解決方案：赫爾納大連公司在中國(guó)設(shè)有10個(gè)辦事處，可為您提供好的維修服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-06-13
早在 1912 年，公司創(chuàng)始人 alfred konrad veith 就推出了他的臺(tái)無心磨床，他已經(jīng)使用它來生產(chǎn)精密圓形零件。柏林的工廠在第二次大戰(zhàn)的空襲中被摧毀。
更新時(shí)間:2025-06-13
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